На главную   Поиск   Карта сайта   Контакты

Новости компании Новости производителей О компании Поставщики Вакансии Контакты
Электронные компоненты
Оборудование
ON-LINE прайс-каталог
 
Подписка на новости
E-mail:
 
Вход для клиентов
Введите логин:
Введите пароль:
 
Вспомнить пароль »
Регистрация »
 
 
 
 
 
 
Новые 75А, 600-вольтовые IGBT от Infineon
Infineon расширил ряд сверхбыстрых 600 В биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) третьего поколения. На рынок выходят IKW75N60H3 (с встроенным анти-параллельным диодом) и IGW75N60H3 (без встроенного диода).

Новые устройства IKW75N60H3 и IGW75N60H3 предназначены для источников бесперебойного питания (UPS), солнечной энергетики, частотных преобразователей для управления двигателями и сварочных инверторов. При изготовлении IKW75N60H3 и IGW75N60H3 была использована технология Trench and FieldStop. Эта технология позволила получить приборы высочайшего класса со стабильными характеристиками, как в жёстком (Hard) так и в мягком (Soft) режимах коммутации. В корпус транзистора IKW75N60H3 интегрирован обратный диод с временем восстановления 180 nS. Новые устройства оптимизированы для сверхбыстрых переключений (до 100 кГц) и обеспечивают защиту от короткого замыкания в течении 5 мкс, а также отличаются низким падением напряжения на канале открытого транзистора (Vce(On)) и положительным температурным коэффициентом для обеспечение работы при параллельном включении. Дополнительными особенностями является максимальная температура перехода 175 °C и низкие электромагнитные помехи (EMI), повышенная надежность устройства. Соответствуют европейским экологическим требованиям Green и RoHS, Pb Free, Halogen – Free.

Техническая документация



Рейтинг@Mail.ru