RU UA
Новости компании Новости производителей О компании Поставщики Вакансии Контакты
Электронные компоненты
Оборудование
Новые предложения и акции
 
Новости производителей

Встроеные N-канальные транзисторы, драйвер верхнего и нижнего плеча в одном корпусе

 
[2010-03-09]
 
Vishay Intertechnology, Inc представляет SiC762CD — интегрированное решение, которое содержит ШИМ (PWM) оптимизированные N-канальные полевые транзисторы (верхнего и нижнего плеча) и полнофункциональный драйвер, бустрепный диод в корпусе PowerPAK® MLP 66-40.

подробнее...


BOURNS предлагает новые типы сборок TVS диодов

 
[2010-03-05]
 
Данные сборки, выполненные в компактных корпусах (размерами примерно 5,5 х 6,5 мм), служат для защиты по напряжению чувствительных элементов схемы и прекрасно подходят для применения в самых разнообразных отраслях электронной промышленности.

подробнее...


Транзисторы Infineon серии OptiMOS на напряжения 200В и 250В.

 
[2010-03-04]
 
Infineon анонсировал транзисторы серии OptiMOS на напряжения 200В и 250В.

подробнее...


Компания Rohm продолжила линейку CMOS операционных усилителей.

 
[2010-03-03]
 
Семейство операционных усилителей компании Rohm дополнились образцами с уникальными характеристиками.

подробнее...


IGBT 600В транзисторы Infineon в корпусах D-pak, I-pak на ток до 15А

 
[2010-03-02]
 
Infineon анонсировал IGBT 600В транзисторы в корпусах D-pak, I-pak на ток до 15А, рекомендованные специально для жёсткого переключения со встроенным быстрым диодом.

подробнее...


Аналоговый контроллер Rohm для пассивных инфракрасных сенсоров.

 
[2010-03-01]
 
Компания Rohm представляет интегральную схему аналогового контроллера пассивного инфракрасного сенсора.

подробнее...


Доступные для коммерческого применения IR iP2010 и iP2011 на революционной GaN технологии.

 
[2010-03-01]
 
International Rectifier, мировой лидер в области силовой электроники, анонсировал два новых прибора основанных на революционной нитрид-галиевой технологии, доступных для коммерческого применения.

подробнее...


Серия высокоскоростных 1200В IGBT транзисторов Infineon для частот свыше 20кГц

 
[2010-03-01]
 
Infineon анонсировал линейку высокоскоростных 1200В IGBT транзисторов предназначенных для работы на частотах свыше 20кГц.

подробнее...


20V, 25V и 30V транзисторы в корпусе PQFN с низким сопротивлением открытого канала RDS(on)

 
[2010-02-19]
 
International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет новую серию силовых полевых транзисторов HEXFET® Power MOSFETs с самым низким сопротивлением открытого канала RDS(on) в отрасли.

подробнее...


Программа подбора электролитических конденсаторов Epcos

 
[2010-02-10]
 
На сайте фирмы "EPCOS" появилась новая версия программы подбора электролитических конденсаторов Snap-In и Screw terminals серий.

подробнее...




 
 
 
 
 
 
 
Рейтинг@Mail.ru